学校拟对“新型碳化硅材料”科技成果进行转化，按照《教育部科技司关于加强高等学校科技成果转移转化工作的若干意见》（教技〔2016〕3号）和《西安交通大学科技成果转化管理办法》（西交科〔2016〕78号）文件要求，现将相关信息进行公示，公示时间15个工作日。

    转让专利成果10项如下：

    1.专利名称：一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法

    申请号：201710781876.8

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    2.专利名称：一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法

    申请号：201710781884.2

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    3.专利名称：一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法

    申请号：201710781888.0

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    4.专利名称：一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法

    专利号：201710781880.4

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    5.专利名称：一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号：201710781811.3

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    6.专利名称：一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号：201710781881.9

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    7.专利名称：一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号：201710781882.3

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    8.专利名称：一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号：201710781879.1

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    9.专利名称：一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法

    申请号：201710781886.1

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    10.专利名称：一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法

    申请号：201710781878.7

    发明人：张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    转让金额：20万

    转让对象名称：东莞清芯半导体科技有限公司

    法人代表：张安平   

    项目公示期间，如对上述转让成果存在异议，请实名以书面形式向科研院进行反应。

    联系人：高  阳

    电话：029-82668338