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关于“新型碳化硅材料”科技成果转化的公示

2019年05月17日 14:44  点击:[]

    学校拟对“新型碳化硅材料”科技成果进行转化,按照《教育部科技司关于加强高等学校科技成果转移转化工作的若干意见》(教技〔2016〕3号)和《西安交通大学科技成果转化管理办法》(西交科〔2016〕78号)文件要求,现将相关信息进行公示,公示时间15个工作日。

    转让专利成果10项如下:

    1.专利名称:一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法

    申请号:201710781876.8

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    2.专利名称:一种含内置浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法

    申请号:201710781884.2

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    3.专利名称:一种双沟槽的低导通电阻、小栅电荷的碳化硅MOSFET器件与制备方法

    申请号:201710781888.0

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    4.专利名称:一种双沟槽的带浮空区的低导通电阻碳化硅MOSFET器件与制备方法

    专利号:201710781880.4

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    5.专利名称:一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号:201710781811.3

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    6.专利名称:一种带浮空区的低导通电阻碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号:201710781881.9

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    7.专利名称:一种低导通电阻、小栅电荷的双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号:201710781882.3

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    8.专利名称:一种带浮空区的低导通电阻双沟槽碳化硅IGBT器件与制备方法

    申请号:201710781879.1

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    9.专利名称:一种低导通电阻、小栅电荷的碳化硅超结MOSFET器件与制备方法

    申请号:201710781886.1

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    10.专利名称:一种带浮空区的低导通电阻碳化硅超结MOSFET器件与制备方法

    申请号:201710781878.7

    发明人:张安平;田凯;祁金伟;杨明超;陈家玉;王旭辉;曾翔君;李留成

    转让金额:20万

    转让对象名称:东莞清芯半导体科技有限公司

    项目公示期间,如对上述转让成果存在异议,请实名以书面形式向科研院进行反应。

    联系人:高  阳

    电话:029-82668338

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