杨志懋

发布日期:2013-11-13浏览量:

基本信息:

   

杨志懋
生    日: 1968 年 10月
民    族: 汉族
所属学科:
研究领域: 材料
职    称: 教授
社会兼职:

联系方式:

电话: 029-82665995
传真: 029-82660901
邮编: 710049
Email: zmyang@mail.xjtu.edu.cn
通信地址: 西安交通大学理学院材料物理系
 

详细介绍:


学习简历: (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
1986.9-1990.7 西安交通大学材料系 本科生 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
1986.9-1990.7 西安交通大学材料学院 硕士研究生 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
1986.9-1990.7 西安交通大学材料学院 博士研究生 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
工作简历: (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
1996年获得博士学位并留校任教 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
1999年6月晋升副教授 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
1998.5-2000.12学校派往科技部工作 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
2000.12-2002.8在日本进行国际合作研究 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
2002.8-今 理学院材料物理系2004年6月晋升教授,2005年批准为博士生导师 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
研究方向: (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
主要从事纳米材料和电气功能材料研究,包括高性能真空开关用铜铬、钨铜和银基氧化物触头材料,以及等离子体焊接用钨氧化物阴极材料,主要研究电气材料的成分、显微组织对其材料的电气性能和电弧特性的影响规律,近年来发表文章27篇,其中SCI收录论文10篇。 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
项目: (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
主持国家863计划项目“新型低成本高性能CuCr真空触头材料的研究” (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
主持国家863计划引导项目“高性能低成本CuCr触头材料的大批量生产技术研究” (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
主持“高速摄影技术真空断路器电弧的研究”,留学回国人员科研启动基金 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
主持 “海军M项目” (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
专利: (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
国家发明专利:添加合金元素W-氧化物电极材料及制备工艺,专利号:02139485.7,2004年1月授权。 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
国家发明专利:真空定向凝固制造铜铬触头材料的方法及单边水冷铸模,专利号:03134479.8,2005年7月授权。