科技成果

一种垂直围栅MOSFET器件及其制造方法

发布日期：2009-02-11浏览量：

申请号：
 200910021093.5
专利类型：
 发明
发明人：
 李尊朝 尤一龙 张瑞智 蒋耀林
申请日期：
 20090211
代理人：

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