科技成果

一种基于渗硅氮化制备无晶界相多孔氮化硅陶瓷的方法

发布日期：2008-11-04浏览量：

申请号：
 200810232099.2
专利类型：
 发明
发明人：
 杨建锋 于方丽 高积强 薛耀辉 王俭志
申请日期：
 20081104
代理人：

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