| 项目名称 |
绝缘栅双极晶体管(IGBT)研究与中试 |
负责人 |
袁寿财 朱长纯 |
| 通讯地址 |
西安交大电信学院真空微电子所 |
邮政编码 |
710049 |
| E-mail |
yuanshoucai@sina.com |
所在院所 |
电信学院 |
| 联系人 |
袁寿财 |
电话 |
029-82668644 |
传真 |
029-82663957 |
| 技术来源 |
自有 |
| 拥有专利 |
一种硅化物全自对准槽栅绝缘栅双极晶体管设计及制备工艺 |
专利号 |
申请号02114674.8，国家批准等三 |
| 项目简介 |
绝缘栅双极晶体管(IGBT)是新型MOS功率器件，目前在国内的研究只有我们和北工大进行。在国内的生产更是空白。国内的器件应用全靠进口。
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项目承担人袁寿财是国内最早从事IGBT研究的人员和专家之一，所有技术是自己研制和开发，属自有技术。包括平面工艺和目前最先进的Trench(槽)工艺，采用VLSI侧墙自队准和硅化物自对准技术，使工艺极大地简化
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| 项目优势 |
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A 市场发展前景很好
√
B 产品或工艺创新性突出
√
C 经济效益显著
√
D 社会效益显著
E 其他
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| 现处阶段 |
A 研发阶段
B 小试阶段
C 中试阶段
D 批量生产阶段
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| 技术领先 |
国内外同类产品以及与同行企业的比较:在国内领先 (科技在线，版权所有，未经许可，请勿转载
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| 项目可行性分析 |
市场规模：国内应用50亿人民币/年
目标市场：电力电子产品，变频空调等
竞争力分析：发展民族工业，填补国内空白，替代进口
产品生产：初期依靠代工外协
资金需求：500万人民币
人员需求：10人风险分析等：高投入高风险(科技在线，版权所有，未经许可，请勿转载
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| 合作项目 |
| 项目总投资(万) |
基建费(万) |
设备费(万) |
成果转让费(万) |
流动资金(万) |
其他(万) |
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500 |
0 |
0 |
260 |
200 |
40 |
| 厂房/办公面积及人员要求 |
厂房：0办公：300人员：10 |
| 预计年产量 |
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年销售额 |
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| 成本(万) |
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利润(万) |
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| 年投资回报率% |
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投资回收期 |
3年 |
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| 其他需要说明的问题 |
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