学校拟对“金刚石超宽禁带半导体单晶材料及5G复合器件”科技成果进行转化，按照《教育部科技司关于加强高等学校科技成果转移转化工作的若干意见》（教技〔2016〕3号）和《西安交通大学科技成果转化管理办法》（西交科〔2019〕48号）文件要求，现将相关信息进行公示，公示时间15个工作日。

转化科技成果共计16项知识产权如下：

1.专利号201510023495.4，发明专利，金刚石层的分离方法

发明人：王宏兴;颜建平;王菲;陈烽;符娇;张景文;卜忍安;侯洵。

2.专利号201610794998.6，发明专利，一种高导热金刚石/多金属复合材料制备方法

发明人：王宏兴。

3.专利号201720391476.1，实用新型专利，一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的装置

发明人：王宏兴。

4.专利号201710243825.X，发明专利，一种去除CVD反应腔体内壁沉积膜的方法

发明人：王宏兴。

5.专利号201510212841.3，发明专利，基于自组装工艺的高质量单晶金刚石生长方法

发明人：王宏兴;李硕业;刘璋成;王玮;张景文;卜忍安;侯洵

6.专利号201820518712.6，实用新型专利，一种生长单晶金刚石的生长结构

发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵

7.专利号201810327256.1，发明专利，一种生长单晶金刚石的方法及生长结构

发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵

8.专利号201810671214.X，发明专利，一种横向搭桥拼接生长大面积单晶金刚石的方法

发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵。

9.专利号201810671783.4，发明专利，一种拼接生长大面积单晶金刚石的方法

发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;邵国庆;魏孔庭;张景文;卜忍安;侯洵

10.专利号201810732475.8 ，发明专利，一种氮化镓/金刚石的直接键合方法

发明人：王宏兴;刘璋成;吴胜利;胡文波;赵丹;王艳丰

11.专利号201821062676.3，实用新型专利，用于氮化镓和金刚石直接键合的生产设备

发明人：王宏兴;刘璋成;吴胜利;胡文波;赵丹;王艳丰

12.专利号201810993970.4，发明专利，一种交叉生长大面积单晶金刚石的方法

发明人：王宏兴;王艳丰;常晓慧;王若铮;刘璋成;赵丹;魏孔庭;邵国庆;张景文;卜忍安;侯洵

13.专利号201910098478.5，发明专利，一种新型金刚石衬底结构、切割工艺及其用途

发明人：张晓凡;王宏兴;王艳丰;魏强

14.专利号201520032854.8 ，实用新型专利，一种金刚石肖特基二极管

发明人：王宏兴;胡超;王玮;张景文;卜忍安;侯洵

15.专利号201510023906.X ，发明专利，一种半导体器件的三维电极结构及其制备方法和应用

发明人：王宏兴;刘璋成;王玮;李奉南;张景文;卜忍安;侯洵

16.专利号201510254502.1，发明专利，一种金刚石功率晶体管及其制作方法

发明人：王宏兴;胡超;张景文;王玮;卜忍安;侯洵

项目转化对象名称：西安渭北投资开发建设集团有限公司、西安德盟特半导体科技有限公司

转化方式：作价投资

转让金额：6030万

项目公示期间，如对上述转让成果存在异议，请实名以书面形式向科研院进行反应。

联系人：高 阳

电话：029-82668338