项目名称 |
电力电子模块用关键绝缘材料 (导热绝缘陶瓷覆铜DBC板) |
负责人 |
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通讯地址 |
西安交通大学 |
邮政编码 |
710049 |
E-mail |
auler@sohu.com |
所在院所 |
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联系人 |
张旭峰 |
电话 |
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传真 |
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技术来源 |
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拥有专利 |
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专利号 |
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项目简介 |
电力电子模块用关键绝缘材料 (导热绝缘陶瓷覆铜DBC板)
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 在电力半导体模块的发展中,随着集成度的提高,体积减小,使得单位散热面积上的功耗增加,散热成为模块制造中的一个关键问题,而传统的模块结构(焊接式和压接式)已无法成功地解决散热问题。因此对处于散热底板和芯片之间的导热绝缘材料提出了新要求。目前,国内外电力电子行业所用此种材料一般是陶瓷-金属复合板结构,简称DBC板(Dircet
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) Bonding Copper)。
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 所谓DBC技术,是指将铜在高温下直接键合到陶瓷材料上的技术。DBC板主要是采用Al2O3、AIN、BeO等导热绝缘陶瓷基片。由于BeO含有毒性,工业上少有利用。AIN虽然导热性能良好,且热膨胀系数与硅相近,但价格太高,因此目前Al2O3已被广泛用作DBC板的导热绝缘基片,而AIN也处于发展之中。
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(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 目前国外DBC基板已投入工业化生产,并广泛用于电力半导体模块、微波传送和密封等领域。在相同功率的电力半导体中,DBC板的焊接式模块,与普通焊接式模块相比,不仅体积小,重量轻,省部件,并且具有更好的热疲劳稳定性和更高的集成度。国内这方面的研究刚刚起步,尚未形成工业化生产。西安交通大学电气绝缘研究所结合GTR模块封装结构的"八五"攻关任务,采用DBC技术研制出Al2O3-Cu复合板,并提供给西安电力电子技术研究所,北京电力电子新技术研究开发中心等单位试用。目前已形成实验室小批量生产。市场前景可观。
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(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) DBC基板在功率模块中所起的作用如下:
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 1)作为硅芯片的承载体,并且二者之间无其它任何材料和连接线。电路布线基板,功能近似于PCB板。
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 2)绝缘性能好,把导电部件和散热部件隔离开。
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 3)散热性能好,把硅芯片产生的热量通过导热机油传输到散热装置。
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 因此说DBC基板是导热性能和绝缘性能都很优良的基板。Al2O3-Cu基板具有如下的优良特性:
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 1)热阻抗小,且热膨胀系数同Al2O3,与硅相近(7.4×10-5K-1),使用中不要过渡层,硅芯片可直接焊接在DBC基板上;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 2)具有良好的机械性能,附着力>5000N/cm2,抗剥力>90N/cm;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 3)耐腐蚀、不形变,可在-55℃~+860℃温度范围内使用;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 4)极好的电绝缘性能,瓷板耐压>2.5KV;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 5)良好的导热性,热导率为24~28W/m・K;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 6)焊接性良好,达到95%以上。
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) DBC板将是未来电子线路中结构和连接技术的基础材料。在传统有机覆铜P.C.板不能满足元件热冲击性能的时候,DBC板将用于具有高耗散功率电子组件的基本材料。在使用中,由于较厚的铜层(0.3mm)能承受更高的电流负载,在相同截面下,仅需通常P.C.板12%的导体宽度;良好的热电率,使功率芯片的密集安装成为可能。在单位体积内能传输更大的功率,提高系统和设备的可靠性。在电力电子如下相关领域可得广泛应用:
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(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (1)功率半导体器件,如IGBT、GTR、SIT等;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (2)功率控制线路;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (3)混合功率线路及新式功率结构单元;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (4)固态继电器及高频开关模块电源;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (5)电子加热器件的温度控制单元;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (6)变频器、电机调速、交流无触点开关;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (7)电子陶瓷器件,经我所研究表明,采用DBC技术制作BaTiO3的烧铜电极,与普通的烧银电极以及镀铜电极相比,接触电阻小,性能优越;
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) (8)汽车电子、航空航天军事技术等方面的结构单元。
(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) DBC技术是未来"芯-板"技术的基础,代表着今后封装技术的发展趋势,随着DBC板的应用,就向未来的"芯-板"技术迈进了一步,同时也形成了创造性产品思想和具有高集成度设备设计的基础。
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(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com) 目前,随着GTR、IGBT、SIT等新型器件的发展,对导热更好的DBC板又提出了要求,日本已研制出了AIN覆铜板,并用于IGBT的封装中。我国已研制出AIN陶瓷基片,我所已开展了AIN覆铜板的研制工作,并正在进行键合机理及工艺过程的研究,预计在"九五"期间,将会在国内电力半导体行业中得到应用。
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项目优势 |
√
A 市场发展前景很好
B 产品或工艺创新性突出
C 经济效益显著
D 社会效益显著
E 其他 |
现处阶段 |
A 研发阶段
B 小试阶段
C 中试阶段
D 批量生产阶段
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技术领先 |
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项目可行性分析 |
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合作项目 |
项目总投资(万) |
基建费(万) |
设备费(万) |
成果转让费(万) |
流动资金(万) |
其他(万) |
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厂房/办公面积及人员要求 |
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预计年产量 |
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年销售额 |
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成本(万) |
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利润(万) |
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年投资回报率% |
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投资回收期 |
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其他需要说明的问题 |
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