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高性能低温烧结BZN基高频电介质瓷料

发布日期:2013-12-11浏览量:

项目名称   高性能低温烧结BZN基高频电介质瓷料 负责人 汪宏  
通讯地址   西安交通大学电子材料与器件研究所 邮政编码   710049
E-mail   hwang@mail.xjtu.edu.cn 所在院所   电子与信息工程学院
联系人   汪宏,徐卓 电话   029-82668679 传真   029-82668794
技术来源   自主知识产权
拥有专利   高性能低温烧结高频电介质陶瓷 专利号   99115796.6
项目简介 具有自主知识产权的BZN系材料具有高性能与低温烧结兼优的特点,介电常数高(e: 80~150),介质损耗小(tgd<6 ´10-4),介电常数温度系数可系列化(ae: +200~-750ppm/℃),瓷体致密,绝缘电阻和抗电强度高(r³1013wžcm; ev³10kv/mm),化学组成和相组成简单,烧结温度低(900~940℃),工艺简单,温度稳定性和频率稳定性好,可以作为高频多层陶瓷电容器(mlcc)、中高压特种陶瓷电容器、微波谐振器、微带滤波器、陶瓷天线、低温共烧元件(ltccs)和陶瓷多元组件(mcms)等的介质材料使用。并可以采用低钯含量的银钯浆料(pd10/ag90)作为内电极,可大大降低多层器件的成本并提高其高频性能。 (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
BZN系统中零温度系数组分的介电常数为95~105,介质损耗小(<6 ´10-4),介电常数温度系数符合国家电容器标准cg组指标(0±30ppm/℃),烧结温度低(900~940℃)。bzn系统中负温度系数组分的介电常数为150,介质损耗小(<6´10-4),介电常数温度系数符合国家电容器标准uj组指标(-750±120ppm/℃),烧结温度低(~960℃)。
项目优势 A 市场发展前景很好         B 产品或工艺创新性突出
C 经济效益显著        D 社会效益显著         E 其他
    
现处阶段 A 研发阶段 B 小试阶段 C 中试阶段 D 批量生产阶段
技术领先      国内外同类产品以及与同行企业的比较: 可采用低钯含量(Pd10/Ag90)的银钯内电极浆料,从而降低多层器件的成本(约50%)并提高其高频性能。   (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
项目可行性分析      市场规模、目标市场、竞争力分析、产品生产、资金需求、人员需求、风险分析等:随着集成电路和电子设备的小型化、多样化的发展(科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)
合作项目
项目总投资(万) 基建费(万) 设备费(万) 成果转让费(万) 流动资金(万) 其他(万)
           
厂房/办公面积及人员要求  
预计年产量   年销售额  
成本(万)   利润(万)  
年投资回报率%   投资回收期  
其他需要说明的问题      (科技在线,版权所有,未经许可,请勿转载 http://www.xjtust.com)

      
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